1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低; ◆开关速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通态压降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆低饱和压降,导通损耗小; ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术; ◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低; ◆关速度快,关损耗小 ◆关断拖尾电流小,软关断特性; ◆正温度系数,适合并联; ◆高的短路电流能力(6us以上); ◆开关速度快,开关损耗小; ◆TVj max 达175℃; 了解更多
应用方案
应用笔记
行业信息
相约德国|宏微科技诚挚邀请您参加 … 2023-05-05 了解更多
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世界知识产权日|宏微科技在行动 世界知识产权日,由世界知识产权组织于2001年4月26日设立,目的是… 2023-04-26 了解更多